型号 SI7370DP-T1-E3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK 8SOIC
SI7370DP-T1-E3 PDF
代理商 SI7370DP-T1-E3
产品目录绘图 DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 11 毫欧 @ 12A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 57nC @ 10V
功率 - 最大 1.9W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? SO-8
供应商设备封装 PowerPAK? SO-8
包装 剪切带 (CT)
产品目录页面 1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI7370DP-T1-E3CT
同类型PDF
SI7370DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK 8SOIC
SI7370DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK 8SOIC
SI7374DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 24A PPAK 8SOIC
SI7374DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 24A PPAK 8SOIC
SI7374DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 24A PPAK 8SOIC
SI7374DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7380ADP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7380ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7382DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 14A PPAK 8SOIC
SI7382DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 14A PPAK 8SOIC
SI7382DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 14A PPAK 8SOIC
SI7382DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC
SI7384DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 11A PPAK 8SOIC
SI7384DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 11A PPAK 8SOIC
SI7384DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 11A PPAK 8SOIC
SI7384DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC
SI7386DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC
SI7386DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC
SI7386DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC
SI7386DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC